最高院案例：实用新型专利创造性判断中对相近、相关技术领域的确定

案情简介：上诉人深圳市某电子有限公司与被上诉人国家知识产权局及一审第三人陈某某实用新型专利权无效行政纠纷一案，涉及专利权人为陈某某、名称为“铝栅CMOS双层金属布线的版图结构”的实用新型专利（以下简称本专利）。针对深圳市某电子有限公司就本专利提出的无效宣告请求，国家知识产权局作出第47707号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定），宣告本专利权有效；深圳市某电子有限公司不服，向北京知识产权法院提起诉讼。北京知识产权法院于2021年9月22日作出（2021）京73行初7955号行政判决，判决驳回深圳市某电子有限公司的诉讼请求；深圳市某电子有限公司不服，向最高人民法院提起上诉。

本专利系名称为“铝栅CMOS双层金属布线的版图结构”的实用新型专利，专利权人为陈某某，专利号为201620169331.2，专利申请日为2016年3月7日，授权公告日为2016年11月30日。

最高人民法院认为：本专利申请日在2008年修正的专利法施行日（2009年10月1日）之后、2020年修正的专利法施行日（2021年6月1日）之前，本案应适用2008年修正的专利法。本案二审争议焦点问题是：铝栅CMOS集成电路和硅栅CMOS集成电路是否属于相同或相近的技术领域。

《专利审查指南》第二部分第二章2.2.2规定：发明或者实用新型的技术领域应当是要求保护的发明或者实用新型技术方案所属或者直接应用的具体技术领域，而不是上位的或者相邻的技术领域，也不是发明或者实用新型本身。技术领域的确定，应当以权利要求所限定的内容为准，一般根据专利的主题名称，结合技术方案所实现的技术功能、用途加以确定。相近的技术领域一般指与实用新型专利产品功能以及具体用途相近的领域，相关的技术领域一般指实用新型专利与最接近的现有技术的区别技术特征所应用的功能领域。

本专利权利要求1要求保护的是一种铝栅CMOS双层金属布线的版图结构，旨在解决现有技术中单层金属的铝栅CMOS工艺设计的产品集成度低的问题。为了解决上述问题，本专利权利要求1采取的技术手段主要是：将现有的单层铝栅CMOS金属布线结构的压焊点（输入和输出PAD、电源和地端PAD）作为第二层金属结构设置于第一金属层金属结构上，也就是设置到铝栅CMOS结构之上，提高铝栅CMOS集成度。为了评价本专利权利要求1版图结构的创造性，一审判决及被诉决定基于硅栅和铝栅的栅极材料不同，均认为硅栅CMOS集成电路和铝栅CMOS集成电路属于不同的技术领域，进而认定二者的技术方案实质上并不相同，本专利权利要求1具备创造性。

本专利权利要求1与证据1、2、3、5、6、7的区别技术特征在于，证据1、2、3、5、6、7公开的均是硅栅CMOS金属布线结构，并没有公开任何涉及“铝栅”的内容。在半导体工业的早期，金属铝一般被用作CMOS的栅极材料，此后硅被广泛运用于栅极材料。尽管栅极材料从铝到硅的发展确实是半导体器件的改进，但铝栅与硅栅的区别对于本专利所采取的双层金属布线版图结构的技术方案没有实质性影响，栅极材料的选择不应作为本专利的技术贡献。因此，本专利与硅栅CMOS双层金属布线结构功能相同、用途相近，提高CMOS集成度的原理基本相同，可以将硅栅CMOS双层金属布线结构视为本专利的相同或相近技术领域。被诉决定和一审判决在评价本专利的创造性时，未考虑硅栅CMOS双层金属布线结构，属于适用法律错误。

二审判决：一、撤销北京知识产权法院（2021）京73行初7955号行政判决；二、撤销国家知识产权局第47707号无效宣告请求审查决定；三、国家知识产权局就深圳市某电子有限公司针对专利号为201620169331.2、名称为“铝栅CMOS双层金属布线的版图结构”的实用新型专利提出的无效宣告请求重新作出审查决定。

【参考案例：（2022）最高法知行终41号】

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